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氮化硅陶瓷简介:
氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法,它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤,陶瓷原料以重量百分比计,包括如下组分:Si3N4:80-90%,Y2O3:6-14%,α相Al2O3:1-5%,WC:1-5%,TiC:1-5%。该制备方法步骤简单、方便易行,制备工艺稳定,生产效率高,利用该方法制备的结构件陶瓷的硬度大、强度高,并且具有较高的耐高温性能、耐高电压冲击性能以及耐弯曲性能,可广泛用于材料要求高的领域。
气压烧结法(GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究,获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ~10MPa气压下,2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结,在添加较少烧结助剂情况下,也足以促进Si3N4晶粒生长,而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性,可直接制取接近最终形状的各种复杂形状制品,从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺,适用于大规模生产。
氮化硅陶瓷的特点:
1、硬度高,耐磨性好,热导率小,化学稳定性好、耐腐蚀性高
2、高耐火性,最高熔点1900℃
3、良好的化学稳定性,高温时能抗酸性腐蚀
4、强度大,耐磨,化学稳定性好,生物相容性好,密度高
5、是一种耐高温、耐磨损、耐腐蚀的无机非金属材料,熔点高达摄氏度,是自然界中耐火性能最好的材料之一
气压烧结氮化硅陶瓷性能参数:
颜色:浅灰色
室温抗折强度:800-900Mpa。
室温断裂韧性:6.0-7.0Mpa.m1/2
体积密度 : 3.20-3.25g/cm3
室温体积电阻率 : 1014Ω.cm
室温相对折电常数 : 6-7MHZ。
热导率 : 20-25W.(M.K)-1
热澎涨系数 : 3.1×10-6/℃
硬度 : HRA 92-94