氮化硅陶瓷简介：

氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤，陶瓷原料以重量百分比计，包括如下组分：Si3N4：80-90％，Y2O3：6-14％，α相Al2O3：1-5％，WC：1-5％，TiC：1-5％。该制备方法步骤简单、方便易行，制备工艺稳定，生产效率高，利用该方法制备的结构件陶瓷的硬度大、强度高，并且具有较高的耐高温性能、耐高电压冲击性能以及耐弯曲性能，可广泛用于材料要求高的领域。

气压烧结法（GPS)

近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近最终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。

氮化硅陶瓷的特点：

1、硬度高，耐磨性好,热导率小，化学稳定性好、耐腐蚀性高

2、高耐火性，最高熔点1900℃

3、良好的化学稳定性，高温时能抗酸性腐蚀

4、强度大，耐磨，化学稳定性好，生物相容性好，密度高

5、是一种耐高温、耐磨损、耐腐蚀的无机非金属材料，熔点高达摄氏度，是自然界中耐火性能最好的材料之一

气压烧结氮化硅陶瓷性能参数：

颜色：浅灰色

室温抗折强度：800-900Mpa。

室温断裂韧性：6.0-7.0Mpa.m1/2

体积密度 : 3.20-3.25g/cm3         

室温体积电阻率 : 1014Ω.cm

室温相对折电常数 : 6-7MHZ。

热导率 : 20-25W.(M.K)-1

热澎涨系数 : 3.1×10-6/℃     

硬度 : HRA 92-94