激光切割氧化铝陶瓷基片

一、激光切割工艺优势 —— 精准到细微之处

我们采用高能量密度、低热影响的激光系统，可在保证材料结构完整性的前提下，实现极高加工精度：

• 切割厚度范围：0.1–9 mm
  适用于超薄陶瓷基片到高强度结构件的全厚度加工。

• 切割精度：±0.02 mm
  帮助微电子与高精密封装获得更紧致的结构公差。

• 加工最小孔径：0.04 mm
  可实现微孔孔阵、微型通孔、微结构开槽等复杂工艺。

• 切割线宽：0.04 mm
  极窄切缝减少材料损耗，边缘整齐无崩边。

激光微加工能实现传统刀具无法加工的复杂轮廓，适用于高频陶瓷电路、传感器基片、精密微结构零件等。

二、精密研磨抛光 —— 获得镜面级表面平整度

激光切割后，海德陶瓷进一步采用高精度双面研磨及抛光工艺，实现：

• 表面粗糙度：Ra ≤ 0.1 μm
  满足微电路厚膜印刷、薄膜金属化、芯片贴装等工艺需求。

• 厚度公差：±0.02 mm
  批量一致性高，适用于自动化贴装和精密堆叠结构。

高平整度使陶瓷基片在封装、散热及电路布线等环节表现更稳定可靠。

三、优异的电绝缘与介电特性 —— 适配高频高压场景

氧化铝陶瓷具有强绝缘、高介电稳定性等优势，适用于高频、耐压、精密控制系统：

• 体积电阻率：>10¹⁴ Ω·cm（500℃）

• 介电常数：9–10（1 MHz）

• 击穿场强：≥25 kV/mm

无论用于射频天线、电力电子模块还是高压点火装置，都可提供可靠的电介质隔离与信号稳定性。

四、高热导率与热稳定性 —— 为功率器件提供可靠散热

• 热导率：25 W/(m·K)（96%氧化铝）

• 热膨胀系数：6.5×10⁻⁶/℃（接近硅材料）

• 最高工作温度：1600℃

在高功率密度或周期性热冲击环境中，陶瓷基片依然保持热稳定性与尺寸一致性，是IGBT、电源模块、LED封装的关键材料。

五、强化机械性能 —— 稳定承载高要求系统

氧化铝陶瓷兼具高强度与轻量化：

• 抗弯强度 ≥ 300 MPa

• 抗压强度 ≥ 2000 MPa

• 维氏硬度：1600 HV

• 密度：3.7 g/cm³

适用于高速冲击、振动环境、高负载支撑场景，如精密支撑结构、密封底板等。

1. 电子封装基板

• 功率模块绝缘基板（IGBT、MOSFET）
• 多层陶瓷电路板（LTCC/HTCC）
• 射频微波器件载体

2. 半导体制造

• 晶圆加工承载环
• 等离子刻蚀夹具
• 高温工艺托盘

3. 新能源领域

• 燃料电池双极板
• 锂电池隔膜涂层基材
• 光伏逆变器散热基板

4. 特种传感器

• 高温压力传感器基底
• MEMS器件支撑平台
• 光学检测反射基体

作为专业陶瓷零部件制造商，我们提供从95%到99.9%不同纯度等级的氧化铝基片定制服务，支持最大尺寸600×600mm的基板生产，并可根据需求进行金属化处理（覆铜、镀金、钼锰层等）。通过材料配方优化和结构设计创新，我们的陶瓷基片解决方案已成功应用于5G基站功率放大器、电动汽车电控系统、卫星有效载荷等尖端领域，持续为客户的设备小型化、高功率化和高温可靠运行提供基础材料保障。